#开箱评测# #知识传递计划# #电脑玩家# 你现在用来看这篇文章的设备，它用的是什么芯片呢？骁龙，麒麟，苹果的A或者是M,天玑亦或是x86系的AMD与Intel（no）？但不论是哪一个芯片，在看到题图时，都不得不跪倒在地，喊这个看似手工打磨十分粗糙的部件一声祖师爷。
等等，祖师爷？我手机里的芯片，和这个东西……能有什么关系啊？大家好，我是leobai，这里是我的第二篇微电子研究笔记。在这里发出来，也许不全面，但想和各位聊聊技术的前世今生。

【电子管——曾经多阔绰，如今多落寞】

当电子管只能在一些特定的使用场景发挥余温时，他仍然会记得，他阔绰到统治整个电子元器件的20世纪初到20世纪60年代的整整60年。而他的出生其实只是一个意外。

1880 年某日，托马斯 · 爱迪生好奇地在灯泡中多放了一个电极，且洒了点箔片，结果发现了奇特的现象：第三极通正电时，箔片毫无反应；但通负电时，箔片随即翻腾漂浮。这个现象后来被称为爱迪生效应。没人想到的是，这个小小的效应之后会影响20世纪初到20世纪60年代的一系列电子元器件。
1901 年，欧文 · 理查森提出定律，说明电子的激发态引起箔片漂浮，后更以此拿到 1928 年的诺贝尔物理奖。接着英国伦敦大学电工学教授约翰 · 弗莱明在 1904 年发展出二极管，李 · 德佛瑞斯特更在 1907 年作出第一个三极管。

20世纪中期以前，半导体并未普及，基本上当时所有的电子器材都使用真空管（包括人类历史上第一台通用电子计算机，它就是由18000个电子管组成的）。而基于上述的爱迪生效应，人们制作出电子管（又称真空管）：
圆柱形阴极被灯丝加热后发出负电子，该负电子被带正电的阳极（屏极）吸引，从而使电流流入阳极然后从阴极出来，而在电子从阴极产生并被吸引到阳极的过程中，人们利用电场对真空中的控制栅极，向其中注入电子调制信号，进而在阳极处就可以获得对信号放大或反馈振荡后产生的不同参数信号数据，实现了对信息的传递。

但真空管本身有着成本高、不耐用、体积大、效能低的严重缺陷，富贵无三代，这些缺陷让它在晶体管问世量产后很快失去了主流地位。

【晶体管——分立元器件的末路与集成电路的前夜】

1945年，著名的贝尔实验室决定成立固体物理研究组，以理论物理学家肖克利和巴丁、实验专家布拉顿为核心。

肖克利精于固体物理理论，他结合了莫特-肖特基的整流理论与自己的实验结果，提出了“场效应”：假如半导体片的厚度与表面空间电荷层厚度相差不多，就有可能用垂直于表面的电场来调制薄膜的电阻率，从而使平行于表面的电流也受到调制。这是人们提出的第一个固体放大器的具体方案。

而研究半导体的体内和表面现象的巴丁与精于固体表面性质的布拉顿却始终得不到预期效应，在多次试验后，巴丁提出了表面态理论，该理论认为表面现象可以引起信号放大效应：经过不同表面处理或在不同的气氛中，硅的表面接触电势不同，光照硅表面时它的接触电势也会发生变化，而当他们将样品和参考电极浸在液体(例如可导电的水)中时，他们发现，硅的光生电动势大大增加，改变电压的大小和极性，光生电动势也随之改变大小和符号。但直到这时，效果仍然不是特别明显，材料备制上的缺陷阻碍了光生电动势达到最理想的效果。

而同时小组内致力于提纯硅与锗的物理化学领域专家欧尔和蒂尔等成功研究出生长大单晶锗的工艺，为他们的实验提供了新的材料。

终于，在1947年12月23日，巴丁和布拉顿把两根触丝放在了锗半导体晶片的表面上，并且在触丝靠近时发现了放大作用——他们成功研制出了第一个固体放大器：点接触式晶体管。

这也就意味着，微电子从电子管阶段进入了半导体分立元件阶段。1948年6月30日，晶体管首次在纽约向公众展示，并且在1956年让三位主要的发明者：肖克利，巴丁和布拉顿获得了当年的诺贝尔物理学奖。

但当时的点接触式晶体管需要利用触须节点，稳定性不足，噪声大频率低放大功率小，性能不足且制作困难，导致第一代还仍然比不上电子管。一部分原因是初代产品还不够完善，另一部分则是由于场效应接触式晶体管仍然局限在模拟真空三极管的思路中，而晶体管和电子管背后的物理现象完全不同，晶体管的效应有其独特之处。于是，贝尔实验室转而研发一种新型晶体管。

点接触型与基于PN结的面接触型

半导体中有两种载流子：电中性的空穴与呈负性的电子，用电子导电为主的半导体称之为N型半导体，用空穴导电为主的半导体叫做P型半导体。

半导体中掺杂杂质或者是半导体自身有缺陷带有杂质都可以使导带中电子浓度升高，进而形成N型半导体，而导带中自由电子浓度越高，N型半导体的导电性能就越强。
而如果把一个N型半导体和一个P型半导体连在一起，就会形成PN结

左边的实心圆是空穴，右边的实心圆是电子。P型的电子向N型，N型的空穴向P型做着漂移运动，且内部电场越强，漂移越剧烈，漂移使得空间电荷区减小，而与之相反的粒子运动则使得空间电荷区扩大，两个运动最终达到平衡，形成一个空间电荷区/耗尽层。

而如果给P区加正向电压，N区加负向电压，专业点说就是PN结正向偏置，就可以让内电压减小，使电子扩散作用加强，形成较大的扩散电流。一个PN结加上管脚和引线就可以形成半导体二极管，而如果把一个N型半导体夹在两个P型半导体中间，就会形成两个PN结，制作出PN结型三极管。1948 年11月，威廉 · 肖克利在贝尔实验室内部刊物发表论文《半导体中的 P-N 结和 P-N 结型晶体管的理论》，阐述了他用这种原理制造半导体三极管的构想。但由于当时技术条件的限制，尽管贝尔实验室自点接触式晶体管问世后就持续投入研究，但一直到1950年，人们才成功制造出第一个PN结型晶体。

晶体管的故事到这里大概就结束了，但集成电路的故事还要等到很长时间以后，而在两段故事之间，我们需要讲一群天才的故事。

1954年，成功研制出晶体管的肖克利离开贝尔实验室，回到他的家乡圣塔克拉拉谷来寻求进一步的发展，而那个地方后来被称作硅谷。他在硅谷的瞭望山成立了自己的半导体实验室，并且依靠自己晶体管之父的名声吸引了一大批青年才俊。1956年，以罗伯特诺依斯（N. Noyce）为首的8位年轻的科学家从美国东部陆续加盟肖克利的实验室。

这也就是后面我们说的八叛逆

他们的年龄都在30岁以下，学有所成，有获得双博士学位者，有来自大公司的工程师，有著名大学的研究员和教授，都处在他们创造能力的巅峰。肖克利曾称他们为“我的博士级生产线”。
而肖克利虽然精于科研制造，却并不是特别会管理他的“博士级生产线”，正如戈登 . 摩尔曾说：“当实验室里出现一件小事故后，肖克利会要求我们用测谎仪来测试谁说了谎，谁又是无辜的。”他在菲尔科公司的技术报告会上把八叛逆之一的诺伊斯挖来，却在将其招入后对他的工作产生了猜疑，请求贝尔实验室重新检测他所做的实验数据。再加上他在大量生产晶体管时对生产的错误指挥，人心逐渐不稳。

最终，1957年，8位青年中的7位（没有诺伊斯，诺伊斯后来被鼓动一起策反）集体叛逃，自立门户。在青年出走后，肖克利实验室一蹶不振，肖克利本人也只得返回大学教书。

【集成电路——两拨天才的竞逐】

1957年10月，地处美国东部的仙童照相器材和设备公司，为“八叛逆”投资了3500美元种子资金，组建起一家以诺依斯为首的仙童( Fairchild)半导体公司，在嘹望山租下一间小屋，着手制造一种双扩散基型晶体管，以便用硅来取代传统的锗材料。仙童的业务逐渐发展，员工增加到100多人。

同时，一整套制造硅晶体管的平面处理技术也在仙童日趋成熟。科学家赫尔尼把硅表面的氧化层挤压到最大限度。1959年1月23日，诺依斯等人又首创了一套晶体管制造方法，并由诺伊斯本人在日记里进行了详细的记录：他们先在硅片上加上一层氧化硅作为绝缘层，并在透明材料上绘好晶体管结构，之后用拍照片的方法把结构显影在硅片表面氧化层上，然后，在这层绝缘氧化硅上腐蚀去除不需要的图形后，再把具有半导体性质的微粒扩散到硅片上，用铝薄膜将已用硅扩散技术做好的器件连接起来。这样的话各器件之间就会有良好的电绝缘，这种工艺叫做平面处理，它极大的提高了晶体管的生产效率，使得晶体管可以大批量工业化生产。随后，仙童公司的半导体流水线很快成型。

而几乎在同一时期，在美国的南部达拉斯市，德克萨斯仪器公司的基尔比也开始致力于电路的集成化。

杰克 基尔比

基尔比最初在中心实验室工作，但尽管中心实验室派他去学习晶体管技术，并且获得了贝尔实验室制造晶体管的许可，但由于当时硅工艺的成本还比较高，且硅管局限在国防工业的需求里，所以中心实验室对硅没有兴趣。尽管基尔比在中心实验室的十年里，获得了十几个专利。但他也发现，在中心实验室工作已经无法实现他心中的微型电路梦想了。于是，基尔比开始向有晶体管科研能力的公司发个人简历，希望能在那些公司里实现自己的想法。

1958 年５月，基尔比加盟了当时刚从海上石油钻探设备转行到电子设备上的德州仪器。而德州仪器从贝尔实验室取得了制造晶体管的专利许可，第一个制造出了硅晶体三极管，是当时最大的硅晶体三极管的制造商。德州仪器与此同时也是美国国防部的电子设备微型化计划的合作伙伴之一。他加入了德州仪器的阿德考克小组，而这个小组负责的是微型组件（后称平面电子组件），他们要把许多单独的晶体管挤进一个器件里，而在1958年德州仪器员工出去度假，他却因为是新入职无法度假时，想到了1952 年，英国皇家雷达研究所的杰夫 · 达默在英国一次会议上的发言：“随着晶体管的出现和半导体工作的普遍化，现在似乎可以设想在固体板块中的电子设备无需连接的导线。板块本身就包括了绝缘的导电层、整流和放大的材料，通过切割各层面积的办法直接把电学功能连接在一起。”根据这种想法，基尔比在笔记本上画出了设计草图。

他在来德州仪器之前就已经有着十年的制造印刷电路的经验，他很快就认识到了最好的解决方案将是在硅片上制作出各种不同的电子器件，再把它们连接起来。

当时的形势是：每一种基本器件，都已有了制造它的最好材料。但基尔比的直觉告诉他，电路所需的所有器件都可以用硅一种材料来制作。在当时，除了电感之外，其他的电路基本器件：电阻、电容、二极管、三极管都能在硅这一种材料上制作出来。所以在一种材料上做出所有电路需要的器件才是电路微型化的出路。

“由很多器件组成的极小的微型电路是可以在一块晶片上制作出来的。由电阻、电容、二极管和三极管组成的电路可以被集成在一块晶片上。” 1958 年 7 月 24 日，基尔比在工作笔记上写下了这行字，并且用五页纸关于如何把这几种器件集成在一起的方法和实际应用，他甚至构想了一个用这种方法生产具有完整功能的电路的工艺流程：利用当时由贝尔实验室开发出的扩散 技术和物理气相沉积技术把这几种器件制作在同一块晶片上，然后将它们连成一个具有完整功能的电路。

之后，在小组成员回来后，基尔比向阿德考克提出了这个方案，后者允许基尔比进行尝试，于是基尔比用硅做出了分立的电阻、电容、二极管和三极管，并把它们连成了一个触发电路。1958 年８月 28 日，基尔比就完成了用硅制造这些分立原件的尝试。

之后基尔比开始试着将这些器件做在一起，但当时的德州仪器还没有合适的硅片，他只能改用锗来进行试验。他先在锗晶片上制造出三极管，然后在纯锗晶体中少量掺杂做成电阻，最后用反向二极管做出电容，再用金线将它们连成一个 Phase-Shift Oscillator，用热焊的方式将元件间的导线连起来，最后再由两个助手把制成的电路切割成 0.12ｘ0.4 英寸大小的成品，现代电子工业的第一个用单一材料制成的集成电路（也就是题图的那位老兄）就这么诞生了。

一周后，基尔比又用同样的方法成功地做出了一个触发电路。基尔比那时做的电路和后来在硅晶片上实现的集成电路相比，样子非常难看。但是，它们工作的非常好。它们告诉人们，将各种电子器件集成在一个晶片上是可行的。

1959 年 10 月，基尔比小组准备用锗设计一个新的触发电路。这次他们要从头做一个触发电路。他们做出了电阻、电容、和三极管。第一个成功的触发电路是在 1959 年初完成的，该电路就是 1959 年３月向公众发布的“固体电路”。他在不超过4平方毫米的面积上集成了12个元件，制成了一个用于无线电设备的移相振荡器。
1959 年１月 28 日，美国无线电公司（ＲＣＡ）准备将他们开发的集成电路上报专利局。1959 年２月 6 日，德州仪器的专利代理人将一份内容广泛的“微型电子线路”的专利申请递交给了美国联邦专利局。并在1959年3月在美国无线电工程学院年会上向新闻界发布了这一成果。

仙童的诺伊斯听闻后大为震惊，他认为基尔比的方法十分笨拙：把一块半导体做成某种形状，使之产生一些电阻区域，再用导线将这些区域连接，这需要通过大量的手工劳动才能实现。而诺伊斯自己的技术则摒弃了用导线联接电子零件的费事模式，用蒸发沉积金属的方式代替热焊接导线

这是按照他们的工艺制作的IC芯片，事实证明的确更加优雅

后面证明这种方法的确更为先进，但由于依靠平面加工工艺，这种方法也只能在硅上实现（而当时硅工艺很贵）。于是，在约半年后，1959年7月30日，他们也申请了一项专利——“半导体器件——导线结构”

在那之后，两家公司为争夺谁是集成电路的第一发明者而展开了旷日持久的官司论战。

集成电路诞生初期，需求产量较小，价格十分之高，1961 年春天时，一块集成电路市面价格高达 120 美元。而且只有１０％的晶体管厂家能在晶体管生产上获利。
但不久，美国的阿波罗登月计划 和“民兵”导弹开发计划大量采购集成电路，仅仅阿波罗飞船上的计算机就采用了来自仙童公司的上百万块集成电路，而德州仪器的集成电路也在和空军共担研究费用的情况下研究用于民兵导弹上的小型计算机的集成电路。
军用市场的扩大带动了民用市场的拓展，1964 年，集成电路有了第一次民间应用：Zenith 公司将它用到了助听器上。自那之后，集成电路的费用降低，工艺改进，成为了业界主流。集成电路的快速发展也使后面微处理器的问世成为了可能。

1971年，英特尔公司制造出了一个能实际使用的微处理器4004芯片，它是实际上第一款真正意义上的微处理器。
1980年，IBM研制出第一代商用化PC，将世界推进到了PC时代。
再然后，就到了我们手里所捧着的智能手机，主导的时代。
它可能用的是骁龙，麒麟，苹果的A或者是M,天玑亦或是x86系的AMD与Intel（no）？但不论你用的是是哪一个芯片，当回望那个波澜壮阔的时代时，心中多少都会为之一振，去感慨那个人们不断精益求精，电子器件不断精益求精，时代不断向前进步的时代。

而接下来的时代，还需要我辈奋发，使它更加精进下去。而我们所做的一切，并不是全部木大……

天大学渣现状

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